退火爐是在半導體器件制造中使用的一種工藝,其包括加熱多個半導體晶片以影響其電性能。熱處理是針對不同的效果而設計的。可以加熱晶片以激活摻雜劑,將薄膜轉換成薄膜或將薄膜轉換成晶片襯底界面,使致密沉積的薄膜,改變生長的薄膜的狀態,修復注入的損傷,移動摻雜劑或將摻雜劑從一個薄膜轉移到另一個薄膜或從薄膜進入晶圓襯底。
退火爐(退火窯)配備煤氣發生爐要根據退火窯的大小,窯爐面積,容量多方考慮,選擇適當的煤氣發生爐。一般鑄造用退火爐溫度大都是750℃加熱溫度,但也有其他鑄造件因材質問題需要較高溫度的,有些合金鑄件退火溫度達1000℃還高,所以退火窯所選用煤氣發生爐大小也要考慮退火金屬屬性。目前有以高檔耐火保溫棉和硅酸鋁板等材料制作的退火爐窯,其保溫性好,爐體吸收熱量少,相對耐火磚建造的退火爐耗能低。配備煤氣發生爐時,退火爐窯的建造材質已經退火爐結構,余熱利用的效能都是考慮因素,具體情況要區別對待。
均勻化退火以減少工件化學成分和組織的不均勻程度為主要目的,將其加熱到高溫并長時間保溫,然后緩慢冷卻的退火,均勻化退火一般用于合金鋼鑄件,通常在1050~1250℃長時間保溫,使碳化物充分固溶。保溫時間與鋼中的溶質元素偏析程度、擴散溫度及工件尺寸的有關。
退火爐可以集成到其他爐子處理步驟中,例如氧化,或者可以自己處理。退火爐是由專門為加熱半導體晶片而設計的設備完成的。退火爐是節能型周期式作業爐,超節能結構,采用纖維結構,節電60%。