首先，硅碳棒加熱后形成濃密的氧化硅膜，從而生成抗氧化保護膜，延長了硅碳棒的壽命。在使用硅碳棒的過程中，可以使用涂層用于氣體的爐內。廣西半導體外延生長爐來防止硅碳棒的裂化，其次在使用硅碳棒的過程中，硅碳棒表面的溫度越高，表示硅碳棒的電流量越大。一般硅碳棒的有效發熱長度在攝氏度以內。廣西半導體外延生長爐硅碳棒表面的實際功率是由于爐的內溫度和硅碳棒表面的溫度決定的。硅鉬棒電流強度。在使用硅碳棒的時候，供電線與元件間必須有良好的接觸，避免電阻發熱過多從而造成燒毀接線。由于硅鉬棒運行過程中熱膨脹而造成電源線松弛，應在使用前把電源線接頭擰緊。

連續光亮退火爐用途：用于不同規格銅直管棒、鋼管、鋁管或盤園在控制氣氛下連續光亮退火特點：工件連續通過預熱、加熱、保溫、緩冷、冷卻，不受長度限制。廣西半導體外延生長爐傳動采用托輥式同步傳動，變頻調速，平穩可靠。廣西半導體外延生長爐通保護氣氛和強力的熱氣氛循環，溫度均勻，內外表面十分光亮。冷卻區設計獨特，保證工件均勻冷卻。處理的產品內外表面光亮，產品質量高，生產率高。加熱方式：電加熱或燃氣加熱

鋼的重結晶退火工藝是：緩慢加熱到亞共析鋼或共析鋼或過共析鋼以上三十到五十攝氏度，保持適當時間，然后緩慢冷卻下來。廣西半導體外延生長爐通過加熱過程中發生的珠光體或者還有先共析的鐵素體或滲碳體轉變為奧氏體以及冷卻過程中發生的與此相反的第二回相變重結晶，形成晶粒較細、片層較厚、組織均勻的珠光體或者還有先共析鐵素體或滲碳體。廣西半導體外延生長爐退火溫度在亞共析鋼使鋼發生完全的重結晶者，稱為完全退火，退火溫度在Ac1與Ac3之間 亞共析鋼或Ac1與Acm之間過共析鋼，使鋼發生部分的重結晶者，稱為不完全退火。

當塑料品存在薄和厚位置的連接部位，厚的部位降溫慢、薄的部位降溫快些，則連接處發生不均勻收縮，結果就導致應力集中現象。廣西半導體外延生長爐在有金屬鑲件的四周，這種現象更明顯。廣西半導體外延生長爐剛出模的時候表面上無異常，過段時間，也許是幾天，也許是半年或更長，在外因作用，下溫度，壓力，極性溶液等，應力集中部位會產生裂紋，甚至開裂或者變形。為了消除或減少成型制品中的內應力、避免制品在貯存或應用時產生較大的變形或開裂，對成型后的一些制品要進行退火處理。

去應力退火是將工件加熱到Ac1以下的適當溫度非合金鋼在五百到六百攝氏度，保溫后隨爐冷卻的熱處理工藝稱為去應力退火。廣西半導體外延生長爐去應力加熱溫度低，在退火過程中無組織轉變，主要適用于毛坯件及經過切削加工的零件，目的是為了消除毛坯和零件中的殘余應力，穩定工件尺寸及形狀，廣西半導體外延生長爐減少零件在切削加工和使用過程中的形變和裂紋傾向。