操作管理混亂，經驗不足。四川半導體外延生長爐一是裝料制度變更頻繁，且針對性不強，尤其是中心焦炭沒有保證；二是爐溫控制偏低且波動較大，鐵水溫度長期在一千四百五十攝氏度以下，硫超標事故經常發生；四川半導體外延生長爐三是日常操作三班不統一且表現為；風量、風壓不統一，有的班開得高，有的班開得低，頂壓不統一，壓差波動大，料線不統一，手動控制比較多，爐料落點難以規范，無規律性；四是退火爐工藝管理粗放，考核不到位，高爐的各項管理精細化程度不夠，制度執行不力。

首先，硅碳棒加熱后形成濃密的氧化硅膜，從而生成抗氧化保護膜，延長了硅碳棒的壽命。在使用硅碳棒的過程中，可以使用涂層用于氣體的爐內。四川半導體外延生長爐來防止硅碳棒的裂化，其次在使用硅碳棒的過程中，硅碳棒表面的溫度越高，表示硅碳棒的電流量越大。一般硅碳棒的有效發熱長度在攝氏度以內。四川半導體外延生長爐硅碳棒表面的實際功率是由于爐的內溫度和硅碳棒表面的溫度決定的。硅鉬棒電流強度。在使用硅碳棒的時候，供電線與元件間必須有良好的接觸，避免電阻發熱過多從而造成燒毀接線。由于硅鉬棒運行過程中熱膨脹而造成電源線松弛，應在使用前把電源線接頭擰緊。

根據塑料件品種的不同，調節退火溫度。四川半導體外延生長爐把天然氣模殼焙燒爐中成型脫模后的注塑制品放在有一定溫度的加熱介質或有熱空氣循環的烘箱中，加熱到比產品使用溫度高二十度到三十五度或者比產品的熱變形溫度低25-35度的溫度下，將產品放進去。過高溫度中制品要變形，但不能溫度過低，過低溫度退火，不能達到退火效果。四川半導體外延生長爐退火的時間長短要視產品的壁厚而定，越厚的壁要退火的時間越長。熱處理時間達到要求后，制件隨介質一起緩慢自然降溫至室溫。注意，處理后的制品如果用冷水急劇降溫或直接從熱處理介質中取出降溫，制品由于冷卻速度的不同，又會產生新的內應力。

例如鈦合金于加熱和冷卻時發生同素異構轉變，低溫為α相密排六方結構)，高溫為β相體心立方結構，其中間是“α+β”兩相區，即相變溫度區間。四川半導體外延生長爐為了得到接近平衡的室溫穩定組織和細化晶粒，也進行重結晶退火，即緩慢加熱到高于相變溫度區間不多的溫度，保溫適當時間，使合金轉變為β相的細小晶粒；四川半導體外延生長爐然后緩慢冷卻下來，使β相再轉變為α相或α+β兩相的細小晶粒。

退火爐采用金屬熱處理退火工藝，將金屬緩慢加熱到一定溫度，保持足夠時間，然后以適宜速度冷卻。四川半導體外延生長爐目的是降低硬度，改善切削加工性；消除殘余應力，穩定尺寸，減少變形與裂紋傾向；細化晶粒，調整組織，消除組織缺陷。四川半導體外延生長爐使經過鑄造、鍛軋、焊接或切削加工的材料或工件軟化，改善塑性和韌性，使化學成分均勻化，去除殘余應力，或得到預期的物理性能。鑄件在冷卻過程中，積累了大量的內應力，要通過退火爐來消除內應力。