降低硬度，改善切削加工性。消除殘余應力，穩定尺寸，減少變形與裂紋傾向；細化晶粒調整組織，消除組織缺陷。四川半導體外延生長爐均勻材料組織和成分，改善材料性能或為以后熱處理做組織準備。四川半導體外延生長爐在生產中，退火工藝應用很廣泛。根據被加工金屬件對退火的不同需求，退火的工藝規范有多種，常用的有完全退火、球化退火、和去應力退火等。

首先，硅碳棒加熱后形成濃密的氧化硅膜，從而生成抗氧化保護膜，延長了硅碳棒的壽命。在使用硅碳棒的過程中，可以使用涂層用于氣體的爐內。四川半導體外延生長爐來防止硅碳棒的裂化，其次在使用硅碳棒的過程中，硅碳棒表面的溫度越高，表示硅碳棒的電流量越大。一般硅碳棒的有效發熱長度在攝氏度以內。四川半導體外延生長爐硅碳棒表面的實際功率是由于爐的內溫度和硅碳棒表面的溫度決定的。硅鉬棒電流強度。在使用硅碳棒的時候，供電線與元件間必須有良好的接觸，避免電阻發熱過多從而造成燒毀接線。由于硅鉬棒運行過程中熱膨脹而造成電源線松弛，應在使用前把電源線接頭擰緊。

當塑料品存在薄和厚位置的連接部位，厚的部位降溫慢、薄的部位降溫快些，則連接處發生不均勻收縮，結果就導致應力集中現象。四川半導體外延生長爐在有金屬鑲件的四周，這種現象更明顯。四川半導體外延生長爐剛出模的時候表面上無異常，過段時間，也許是幾天，也許是半年或更長，在外因作用，下溫度，壓力，極性溶液等，應力集中部位會產生裂紋，甚至開裂或者變形。為了消除或減少成型制品中的內應力、避免制品在貯存或應用時產生較大的變形或開裂，對成型后的一些制品要進行退火處理。

經冷塑性變形加工的工件加熱到再結晶溫度以上，保持適當時間，通過再結晶使冷變形過程中產生的晶體學缺陷基本消失，重新形成均勻的等軸晶粒，以消除變形強化效應和殘余應力的退火。四川半導體外延生長爐一般鋼材再結晶退火溫度在六百攝氏度到七百攝氏度之間不等，四川半導體外延生長爐保溫一到三個小時空冷，對含質量分數小于百分之零點二的普通碳鋼，在冷變形時臨界變形速度若達百分之六到百分之十五的范圍，則再結晶退火后易出現粗晶，因此應避免在該范圍內變形。

例如鈦合金于加熱和冷卻時發生同素異構轉變，低溫為α相密排六方結構)，高溫為β相體心立方結構，其中間是“α+β”兩相區，即相變溫度區間。四川半導體外延生長爐為了得到接近平衡的室溫穩定組織和細化晶粒，也進行重結晶退火，即緩慢加熱到高于相變溫度區間不多的溫度，保溫適當時間，使合金轉變為β相的細小晶粒；四川半導體外延生長爐然后緩慢冷卻下來，使β相再轉變為α相或α+β兩相的細小晶粒。

采用新型的燃燒技術，如脈沖燃燒技術、高溫空氣燃燒技術、富氧燃燒技術等。四川半導體外延生長爐脈沖燃燒技術是近年來開發的一項行之有效的降低氮氧化合物的技術，燒嘴采用間斷燃燒的方式，一旦工作，就處于滿負荷狀態。四川半導體外延生長爐當需要升溫時，燒嘴燃燒時間加長，間斷時間減少；需要降溫時，燒嘴燃燒時間減少，間斷時間加長。通過調節燃燒時間的占空比實現窯爐的溫度控制，燃料流量可通過壓力調整預先設定，無需在線調整，即可實現空氣過剩系數的控制。故脈沖燃燒技術傳熱效率高、能耗低、爐內溫度場均勻性好，這些均有利于減少氮氧化合物的生成。