單位質量/體積的燃料完全燃燒，武漢半導體外延生長爐當燃燒產物冷卻到燃燒前的溫度時所放出的熱量一般室溫25攝氏度。武漢半導體外延生長爐依據燃燒產物中水蒸氣包括燃料中所含水生成的水蒸氣和燃料中的氫燃燒時生成的水蒸氣的不同形態，分為兩種發熱量：高溫發熱量、低位發熱量高位發熱量高位熱值：燃料完全燃燒，燃燒產物中的水蒸汽全部凝結為液態水時所放出的熱量低位發熱量低位熱值：燃料完全燃燒，燃燒產物中的水蒸汽仍以氣態存在時所放出的熱量。

一般來講，鉬棒連續使用比斷續使用壽命要長得多，這是因為在硅鉬棒冷卻過程中損壞大。武漢半導體外延生長爐如果當電熱裝置停止工作，應當保持裝置處于熱狀態武漢半導體外延生長爐硅鉬棒運行的環境，硅鉬棒在氧化環境如空氣、氧、水汽或二氧化碳中時，硅鉬棒元件的壽命長，若硅鉬棒由于氧化層在冷卻時輕易剝落，使用前必須把元件重新氧化一次硅碳棒會隨著溫度變高，表面的氧化速度會越快，壽命會越短！在使用的過程中，盡量選擇并聯，這樣可以避免由于電阻負荷集中，造成損壞的情況

將工件完全奧氏體化后緩慢冷卻，接近平衡組織的退火。完全退火奧氏體化溫度一般選為Ac3加三十攝氏度到五十攝氏度，對于某些高合金鋼，為使碳化物固溶應適當提高奧氏體化溫度。為了改善低碳鋼的切削性能，可采用九百攝氏度到一百攝氏度的晶粒粗化退火。為了消除亞共析鋼鍛件、鑄件、焊接件的粗大魏氏組織，需將奧氏體化溫度提高到一千一百攝氏度到一千兩百攝氏度，隨后補充進行常規完全退火。?

例如鈦合金于加熱和冷卻時發生同素異構轉變，低溫為α相密排六方結構)，高溫為β相體心立方結構，其中間是“α+β”兩相區，即相變溫度區間。武漢半導體外延生長爐為了得到接近平衡的室溫穩定組織和細化晶粒，也進行重結晶退火，即緩慢加熱到高于相變溫度區間不多的溫度，保溫適當時間，使合金轉變為β相的細小晶粒；武漢半導體外延生長爐然后緩慢冷卻下來，使β相再轉變為α相或α+β兩相的細小晶粒。

爐體外殼采用型鋼及鋼板焊接而成。爐蓋支撐采用型鋼和導軌組合移動式。武漢半導體外延生長爐加熱元件采用北京首鋼產的高電阻合金布置在爐側。爐底由于承重采用高鋁磚砌筑爐子中心采用大圈套小圈做法，里外加熱。爐蓋采用液壓升降，電機控制自動行走。溫控系統采用PID可控硅控制，精度高。武漢半導體外延生長爐在闡述這個問題前我們先來了解一下鑄件的生產過程：鑄件是通過加熱鑄件將其在爐內融化成液體金屬澆鑄到與零件形狀相適應的鑄造空腔中，待其冷卻凝固后，獲得具有一定形狀、尺寸和性能金屬零件毛坯。