例如鈦合金于加熱和冷卻時發(fā)生同素異構(gòu)轉(zhuǎn)變，低溫為α相密排六方結(jié)構(gòu))，高溫為β相體心立方結(jié)構(gòu)，其中間是“α+β”兩相區(qū)，即相變溫度區(qū)間。重慶半導體生長爐為了得到接近平衡的室溫穩(wěn)定組織和細化晶粒，也進行重結(jié)晶退火，即緩慢加熱到高于相變溫度區(qū)間不多的溫度，保溫適當時間，使合金轉(zhuǎn)變?yōu)棣孪嗟募毿【Я＃?a href="/tag/%E9%87%8D%E5%BA%86" target="_blank">重慶半導體生長爐然后緩慢冷卻下來，使β相再轉(zhuǎn)變?yōu)棣料嗷颚?β兩相的細小晶粒。

單位質(zhì)量/體積的燃料完全燃燒，重慶半導體生長爐當燃燒產(chǎn)物冷卻到燃燒前的溫度時所放出的熱量一般室溫25攝氏度。重慶半導體生長爐依據(jù)燃燒產(chǎn)物中水蒸氣包括燃料中所含水生成的水蒸氣和燃料中的氫燃燒時生成的水蒸氣的不同形態(tài)，分為兩種發(fā)熱量：高溫發(fā)熱量、低位發(fā)熱量高位發(fā)熱量高位熱值：燃料完全燃燒，燃燒產(chǎn)物中的水蒸汽全部凝結(jié)為液態(tài)水時所放出的熱量低位發(fā)熱量低位熱值：燃料完全燃燒，燃燒產(chǎn)物中的水蒸汽仍以氣態(tài)存在時所放出的熱量。

該爐是供金屬機件、環(huán)件等在額定的溫度下進行熱處理設(shè)備簡介：本爐是由爐體與一個可移動的爐蓋及控制系統(tǒng)組成。爐體外殼采用型鋼及鋼板焊接而成。重慶半導體生長爐爐蓋支撐采用型鋼和導軌組合移動式。元件采用北京首鋼產(chǎn)的高電阻合金0Cr25Al5布置在爐側(cè)。爐底由于承重采用高鋁磚砌筑，爐子中心采用大圈套小圈做法，里外加熱。重慶半導體生長爐爐蓋采用液壓升降，電機控制自動行走。溫控系統(tǒng)采用PID可控硅控制，精度高。

故障出現(xiàn)后，監(jiān)控主畫面上方會出現(xiàn)報警提示，根據(jù)提示內(nèi)容可初步判定故障設(shè)備，報警具體如下：V101閥位報警、V105閥位報警加熱段煤氣換向報警加熱段空氣換向報警、保溫段煤氣換向報警、保溫段空氣換向報警。重慶半導體生長爐其中，V101閥即加熱段煤氣快切閥，V105閥即保溫段煤氣快切閥。每一設(shè)備由動作部分和閥位反饋部分組成。動作部分由電磁閥帶氣動元件發(fā)生動作。重慶半導體生長爐出現(xiàn)上述報警后，首先查看報警設(shè)備在監(jiān)控主畫面上顯示的顏色，確定其狀態(tài)。

將工件完全奧氏體化后緩慢冷卻，接近平衡組織的退火。完全退火奧氏體化溫度一般選為Ac3加三十攝氏度到五十攝氏度，對于某些高合金鋼，為使碳化物固溶應(yīng)適當提高奧氏體化溫度。為了改善低碳鋼的切削性能，可采用九百攝氏度到一百攝氏度的晶粒粗化退火。為了消除亞共析鋼鍛件、鑄件、焊接件的粗大魏氏組織，需將奧氏體化溫度提高到一千一百攝氏度到一千兩百攝氏度，隨后補充進行常規(guī)完全退火。?

均勻化退火又稱擴散退火。重慶半導體生長爐應(yīng)用于鋼及非鐵合金如錫青銅、硅青銅、白銅、鎂合金等的鑄錠或鑄件的一種退火方法。將鑄錠或鑄件加熱到各該合金的固相線溫度以下的某一較高溫度，長時間保溫，然后緩慢冷卻下來。重慶半導體生長爐均勻化退火是使合金中的元素發(fā)生固態(tài)擴散，來減輕化學成分不均勻性偏析，主要是減輕晶粒尺度內(nèi)的化學成分不均勻性晶內(nèi)偏析或稱枝晶偏析。均勻化退火溫度所以如此之高，是為了加快合金元素擴散，盡可能縮短保溫時間