一般來講，鉬棒連續使用比斷續使用壽命要長得多，這是因為在硅鉬棒冷卻過程中損壞大。臺州半導體生長爐如果當電熱裝置停止工作，應當保持裝置處于熱狀態臺州半導體生長爐硅鉬棒運行的環境，硅鉬棒在氧化環境如空氣、氧、水汽或二氧化碳中時，硅鉬棒元件的壽命長，若硅鉬棒由于氧化層在冷卻時輕易剝落，使用前必須把元件重新氧化一次硅碳棒會隨著溫度變高，表面的氧化速度會越快，壽命會越短！在使用的過程中，盡量選擇并聯，這樣可以避免由于電阻負荷集中，造成損壞的情況

球化退火只應用于鋼的一種退火方法。臺州半導體生長爐將鋼加熱到稍低于或稍高于Ac1的溫度或者使溫度在A1上下周期變化，然后緩冷下來。臺州半導體生長爐目的在于使珠光體內的片狀滲碳體以及先共析滲碳體都變為球粒狀，均勻分布于鐵素體基體中這種組織稱為球化珠光體。具有這種組織的中碳鋼和高碳鋼硬度低、被切削性好、冷形變能力大。對工具鋼來說，這種組織是淬火前的原始組織。

將工件完全奧氏體化后緩慢冷卻，接近平衡組織的退火。完全退火奧氏體化溫度一般選為Ac3加三十攝氏度到五十攝氏度，對于某些高合金鋼，為使碳化物固溶應適當提高奧氏體化溫度。為了改善低碳鋼的切削性能，可采用九百攝氏度到一百攝氏度的晶粒粗化退火。為了消除亞共析鋼鍛件、鑄件、焊接件的粗大魏氏組織，需將奧氏體化溫度提高到一千一百攝氏度到一千兩百攝氏度，隨后補充進行常規完全退火。?

均勻化退火又稱擴散退火。臺州半導體生長爐應用于鋼及非鐵合金如錫青銅、硅青銅、白銅、鎂合金等的鑄錠或鑄件的一種退火方法。將鑄錠或鑄件加熱到各該合金的固相線溫度以下的某一較高溫度，長時間保溫，然后緩慢冷卻下來。臺州半導體生長爐均勻化退火是使合金中的元素發生固態擴散，來減輕化學成分不均勻性偏析，主要是減輕晶粒尺度內的化學成分不均勻性晶內偏析或稱枝晶偏析。均勻化退火溫度所以如此之高，是為了加快合金元素擴散，盡可能縮短保溫時間