加熱元件采用高溫合金電阻帶經(jīng)特殊加工成形，采用耐熱陶瓷螺釘固定，既保證絕緣又能保證加熱元件的快速散熱性，從而確保其使用壽命比一般廠家長二到三倍，并且杜絕其在運(yùn)行中的斷路現(xiàn)象。重慶半導(dǎo)體生長爐退火爐的控溫系統(tǒng)采用多區(qū)PID智能控溫方法，利用可控硅三相過零觸法能自動(dòng)智能調(diào)節(jié)輸出功率百分比，使溫度完全按照工藝編程指令要求。重慶半導(dǎo)體生長爐控溫精度小于等于一攝氏度，爐膛有效空間溫度均勻性達(dá)到正負(fù)三攝氏度，有效確保工件不過燒，不熔氧，又能力保證工件熱處理合格率達(dá)到百分之一百。

工件加熱到高于Ac3或Ac1的溫度，保持適當(dāng)時(shí)間后，較快的冷卻到珠光體轉(zhuǎn)變溫度區(qū)間的適當(dāng)溫度并等溫保持，使奧氏體珠光體組織后在空氣中冷卻的退火。重慶半導(dǎo)體生長爐等溫退火的奧氏體化溫度一般與完全退火相同，對(duì)于合金含量較高的大型鑄鍛件可適當(dāng)提高加熱溫度。重慶半導(dǎo)體生長爐等溫溫度越低，退火后的硬度越高。 等溫退火后的組織與硬度均勻性優(yōu)于完全退火，比較適合于與大型合金鋼鑄件。

目前等直徑硅碳棒的生產(chǎn)工藝有兩種，老工藝與新工藝，區(qū)別方法在與從燒結(jié)方式上。重慶半導(dǎo)體生長爐老工藝采用的是埋藏反應(yīng)燒結(jié)，新工藝采用的是高溫真空爐燒結(jié)。由于埋藏?zé)菩枰妹海瑢?duì)環(huán)境有一定的污染，好多都已取締，大多采用新工藝制作。重慶半導(dǎo)體生長爐比如在鋁廠，玻璃廠，釩氮合金，反光材料產(chǎn)品燒結(jié)中會(huì)產(chǎn)生一定的腐蝕氣體，老工藝比新工藝元件的耐腐蝕性要好。等直徑硅碳棒元件是很高的純度以碳化硅為主要原料，加入工業(yè)硅，碳粉等材料。經(jīng)過成型，烘干，高溫?zé)Y(jié)等多道工序而制成的一種非金屬棒狀高溫電熱元件。

爐體外殼采用型鋼及鋼板焊接而成。爐蓋支撐采用型鋼和導(dǎo)軌組合移動(dòng)式。重慶半導(dǎo)體生長爐加熱元件采用北京首鋼產(chǎn)的高電阻合金布置在爐側(cè)。爐底由于承重采用高鋁磚砌筑爐子中心采用大圈套小圈做法，里外加熱。爐蓋采用液壓升降，電機(jī)控制自動(dòng)行走。溫控系統(tǒng)采用PID可控硅控制，精度高。重慶半導(dǎo)體生長爐在闡述這個(gè)問題前我們先來了解一下鑄件的生產(chǎn)過程：鑄件是通過加熱鑄件將其在爐內(nèi)融化成液體金屬澆鑄到與零件形狀相適應(yīng)的鑄造空腔中，待其冷卻凝固后，獲得具有一定形狀、尺寸和性能金屬零件毛坯。

當(dāng)塑料品存在薄和厚位置的連接部位，厚的部位降溫慢、薄的部位降溫快些，則連接處發(fā)生不均勻收縮，結(jié)果就導(dǎo)致應(yīng)力集中現(xiàn)象。重慶半導(dǎo)體生長爐在有金屬鑲件的四周，這種現(xiàn)象更明顯。重慶半導(dǎo)體生長爐剛出模的時(shí)候表面上無異常，過段時(shí)間，也許是幾天，也許是半年或更長，在外因作用，下溫度，壓力，極性溶液等，應(yīng)力集中部位會(huì)產(chǎn)生裂紋，甚至開裂或者變形。為了消除或減少成型制品中的內(nèi)應(yīng)力、避免制品在貯存或應(yīng)用時(shí)產(chǎn)生較大的變形或開裂，對(duì)成型后的一些制品要進(jìn)行退火處理。