目前等直徑硅碳棒的生產(chǎn)工藝有兩種，老工藝與新工藝，區(qū)別方法在與從燒結(jié)方式上。宿遷半導體生長爐老工藝采用的是埋藏反應燒結(jié)，新工藝采用的是高溫真空爐燒結(jié)。由于埋藏燒制需要用煤，對環(huán)境有一定的污染，好多都已取締，大多采用新工藝制作。宿遷半導體生長爐比如在鋁廠，玻璃廠，釩氮合金，反光材料產(chǎn)品燒結(jié)中會產(chǎn)生一定的腐蝕氣體，老工藝比新工藝元件的耐腐蝕性要好。等直徑硅碳棒元件是很高的純度以碳化硅為主要原料，加入工業(yè)硅，碳粉等材料。經(jīng)過成型，烘干，高溫燒結(jié)等多道工序而制成的一種非金屬棒狀高溫電熱元件。

退火爐采用金屬熱處理退火工藝，將金屬緩慢加熱到一定溫度，保持足夠時間，然后以適宜速度冷卻。宿遷半導體生長爐目的是降低硬度，改善切削加工性；消除殘余應力，穩(wěn)定尺寸，減少變形與裂紋傾向；細化晶粒，調(diào)整組織，消除組織缺陷。宿遷半導體生長爐使經(jīng)過鑄造、鍛軋、焊接或切削加工的材料或工件軟化，改善塑性和韌性，使化學成分均勻化，去除殘余應力，或得到預期的物理性能。鑄件在冷卻過程中，積累了大量的內(nèi)應力，要通過退火爐來消除內(nèi)應力。

工件加熱到高于Ac3或Ac1的溫度，保持適當時間后，較快的冷卻到珠光體轉(zhuǎn)變溫度區(qū)間的適當溫度并等溫保持，使奧氏體珠光體組織后在空氣中冷卻的退火。宿遷半導體生長爐等溫退火的奧氏體化溫度一般與完全退火相同，對于合金含量較高的大型鑄鍛件可適當提高加熱溫度。宿遷半導體生長爐等溫溫度越低，退火后的硬度越高。 等溫退火后的組織與硬度均勻性優(yōu)于完全退火，比較適合于與大型合金鋼鑄件。

降低硬度，改善切削加工性。消除殘余應力，穩(wěn)定尺寸，減少變形與裂紋傾向；細化晶粒調(diào)整組織，消除組織缺陷。宿遷半導體生長爐均勻材料組織和成分，改善材料性能或為以后熱處理做組織準備。宿遷半導體生長爐在生產(chǎn)中，退火工藝應用很廣泛。根據(jù)被加工金屬件對退火的不同需求，退火的工藝規(guī)范有多種，常用的有完全退火、球化退火、和去應力退火等。