當塑料品存在薄和厚位置的連接部位，厚的部位降溫慢、薄的部位降溫快些，則連接處發生不均勻收縮，結果就導致應力集中現象。福建半導體外延生長爐在有金屬鑲件的四周，這種現象更明顯。福建半導體外延生長爐剛出模的時候表面上無異常，過段時間，也許是幾天，也許是半年或更長，在外因作用，下溫度，壓力，極性溶液等，應力集中部位會產生裂紋，甚至開裂或者變形。為了消除或減少成型制品中的內應力、避免制品在貯存或應用時產生較大的變形或開裂，對成型后的一些制品要進行退火處理。

原燃料質量波動一是大量使用國內低品位劣質礦，燒結礦品位只有百分之四十七，含量有時高達百分之八十五以上，堿金屬含量特高，一般高出標準五倍以上；福建半導體外延生長爐二是退火爐爐料結構變化大，福建半導體外延生長爐二零一二年年元月份球團車間檢修，大量配加低品質馬來西亞塊礦；三是燒結礦質量下降，強度、低溫還原粉化、還原性都變差，同時由于燒結蒸氣不足，混和料溫低，燒結機漏風嚴重，造成燒結礦產量、質量下降。

目前等直徑硅碳棒的生產工藝有兩種，老工藝與新工藝，區別方法在與從燒結方式上。福建半導體外延生長爐老工藝采用的是埋藏反應燒結，新工藝采用的是高溫真空爐燒結。由于埋藏燒制需要用煤，對環境有一定的污染，好多都已取締，大多采用新工藝制作。福建半導體外延生長爐比如在鋁廠，玻璃廠，釩氮合金，反光材料產品燒結中會產生一定的腐蝕氣體，老工藝比新工藝元件的耐腐蝕性要好。等直徑硅碳棒元件是很高的純度以碳化硅為主要原料，加入工業硅，碳粉等材料。經過成型，烘干，高溫燒結等多道工序而制成的一種非金屬棒狀高溫電熱元件。

采用新型的燃燒技術，如脈沖燃燒技術、高溫空氣燃燒技術、富氧燃燒技術等。福建半導體外延生長爐脈沖燃燒技術是近年來開發的一項行之有效的降低氮氧化合物的技術，燒嘴采用間斷燃燒的方式，一旦工作，就處于滿負荷狀態。福建半導體外延生長爐當需要升溫時，燒嘴燃燒時間加長，間斷時間減少；需要降溫時，燒嘴燃燒時間減少，間斷時間加長。通過調節燃燒時間的占空比實現窯爐的溫度控制，燃料流量可通過壓力調整預先設定，無需在線調整，即可實現空氣過剩系數的控制。故脈沖燃燒技術傳熱效率高、能耗低、爐內溫度場均勻性好，這些均有利于減少氮氧化合物的生成。