將工件完全奧氏體化后緩慢冷卻，接近平衡組織的退火。完全退火奧氏體化溫度一般選為Ac3加三十攝氏度到五十攝氏度，對于某些高合金鋼，為使碳化物固溶應(yīng)適當提高奧氏體化溫度。為了改善低碳鋼的切削性能，可采用九百攝氏度到一百攝氏度的晶粒粗化退火。為了消除亞共析鋼鍛件、鑄件、焊接件的粗大魏氏組織，需將奧氏體化溫度提高到一千一百攝氏度到一千兩百攝氏度，隨后補充進行常規(guī)完全退火。?

降低硬度，改善切削加工性。消除殘余應(yīng)力，穩(wěn)定尺寸，減少變形與裂紋傾向；細化晶粒調(diào)整組織，消除組織缺陷。湖南半導體生長爐均勻材料組織和成分，改善材料性能或為以后熱處理做組織準備。湖南半導體生長爐在生產(chǎn)中，退火工藝應(yīng)用很廣泛。根據(jù)被加工金屬件對退火的不同需求，退火的工藝規(guī)范有多種，常用的有完全退火、球化退火、和去應(yīng)力退火等。

在鑄造加熱爐內(nèi)，進步金屬的加熱溫度，能夠下降變形阻力，但溫度過高會引起晶粒長大、氧化或過燒，嚴峻影響工件質(zhì)量。湖南半導體生長爐在熱處理過程中，湖南半導體生長爐假如把鋼加熱到臨界溫度以上的某一點，然后突然冷卻，就能進步鋼的硬度和強度；假如加熱到臨界溫度以下的某一點后緩慢冷卻，則又能使鋼的硬度下降而使韌性進步。金屬或物料加熱時吸收的熱量與供入爐內(nèi)的熱量之比，稱為爐子熱效率。連續(xù)式爐比間斷式爐的熱效率高，因為連續(xù)式爐的出產(chǎn)率高，并且是不間斷作業(yè)的。

單位質(zhì)量/體積的燃料完全燃燒，湖南半導體生長爐當燃燒產(chǎn)物冷卻到燃燒前的溫度時所放出的熱量一般室溫25攝氏度。湖南半導體生長爐依據(jù)燃燒產(chǎn)物中水蒸氣包括燃料中所含水生成的水蒸氣和燃料中的氫燃燒時生成的水蒸氣的不同形態(tài)，分為兩種發(fā)熱量：高溫發(fā)熱量、低位發(fā)熱量高位發(fā)熱量高位熱值：燃料完全燃燒，燃燒產(chǎn)物中的水蒸汽全部凝結(jié)為液態(tài)水時所放出的熱量低位發(fā)熱量低位熱值：燃料完全燃燒，燃燒產(chǎn)物中的水蒸汽仍以氣態(tài)存在時所放出的熱量。

采用新型的燃燒技術(shù)，如脈沖燃燒技術(shù)、高溫空氣燃燒技術(shù)、富氧燃燒技術(shù)等。湖南半導體生長爐脈沖燃燒技術(shù)是近年來開發(fā)的一項行之有效的降低氮氧化合物的技術(shù)，燒嘴采用間斷燃燒的方式，一旦工作，就處于滿負荷狀態(tài)。湖南半導體生長爐當需要升溫時，燒嘴燃燒時間加長，間斷時間減少；需要降溫時，燒嘴燃燒時間減少，間斷時間加長。通過調(diào)節(jié)燃燒時間的占空比實現(xiàn)窯爐的溫度控制，燃料流量可通過壓力調(diào)整預(yù)先設(shè)定，無需在線調(diào)整，即可實現(xiàn)空氣過剩系數(shù)的控制。故脈沖燃燒技術(shù)傳熱效率高、能耗低、爐內(nèi)溫度場均勻性好，這些均有利于減少氮氧化合物的生成。

退火爐采用金屬熱處理退火工藝湖南半導體生長爐將金屬緩慢加熱到一定溫度，保持足夠時間，然后以適宜速度冷卻。湖南半導體生長爐目的是降低硬度，改善切削加工性消除殘余應(yīng)力，穩(wěn)定尺寸，減少變形與裂紋傾向；細化晶粒，調(diào)整組織，消除組織缺陷。使經(jīng)過鑄造、鍛軋、焊接或切削加工的材料或工件軟化，改善塑性和韌性，使化學成分均勻化，去除殘余應(yīng)力，或得到預(yù)期的物理性能。鑄件在冷卻過程中，積累了大量的內(nèi)應(yīng)力，要通過退火爐來消除內(nèi)應(yīng)力。?