將工件完全奧氏體化后緩慢冷卻，接近平衡組織的退火。完全退火奧氏體化溫度一般選為Ac3加三十攝氏度到五十攝氏度，對于某些高合金鋼，為使碳化物固溶應適當提高奧氏體化溫度。為了改善低碳鋼的切削性能，可采用九百攝氏度到一百攝氏度的晶粒粗化退火。為了消除亞共析鋼鍛件、鑄件、焊接件的粗大魏氏組織，需將奧氏體化溫度提高到一千一百攝氏度到一千兩百攝氏度，隨后補充進行常規完全退火。?

操作者應遵守臺車式退火爐，退火熱處理的操作規程，仔細檢查儀表、熱電偶、電氣設備接地是否完好；廣西半導體生長爐如發現電線隔緣皮有破損，定要立向車間領導報告阻止發生觸電事故廣西半導體生長爐檢查加熱元件是否損壞，連接之間的接觸是否良好，爐底板及電阻絲是否完好，是否與爐體和殼體接觸。檢查溫度控制系統中是否有異常現象。檢查爐門升降情況，臺車運行正常。嚴禁腐蝕性、揮發性和爆裂性氣體進入臺車式退火爐的爐體進行加工，以免影響退火爐的發熱元件和耐火材料的使用壽命，并引起爆裂事故。轉向架烘箱不應越過溫度，否則會縮短設備的使用壽命。在清潔爐之前，從轉向架上除去太多的氧化物。

爐體外殼采用型鋼及鋼板焊接而成。爐蓋支撐采用型鋼和導軌組合移動式。廣西半導體生長爐加熱元件采用北京首鋼產的高電阻合金布置在爐側。爐底由于承重采用高鋁磚砌筑爐子中心采用大圈套小圈做法，里外加熱。爐蓋采用液壓升降，電機控制自動行走。溫控系統采用PID可控硅控制，精度高。廣西半導體生長爐在闡述這個問題前我們先來了解一下鑄件的生產過程：鑄件是通過加熱鑄件將其在爐內融化成液體金屬澆鑄到與零件形狀相適應的鑄造空腔中，待其冷卻凝固后，獲得具有一定形狀、尺寸和性能金屬零件毛坯。

采用新型的燃燒技術，如脈沖燃燒技術、高溫空氣燃燒技術、富氧燃燒技術等。廣西半導體生長爐脈沖燃燒技術是近年來開發的一項行之有效的降低氮氧化合物的技術，燒嘴采用間斷燃燒的方式，一旦工作，就處于滿負荷狀態。廣西半導體生長爐當需要升溫時，燒嘴燃燒時間加長，間斷時間減少；需要降溫時，燒嘴燃燒時間減少，間斷時間加長。通過調節燃燒時間的占空比實現窯爐的溫度控制，燃料流量可通過壓力調整預先設定，無需在線調整，即可實現空氣過剩系數的控制。故脈沖燃燒技術傳熱效率高、能耗低、爐內溫度場均勻性好，這些均有利于減少氮氧化合物的生成。